光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文已在《自然·通讯》上发表。
显影是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动直接影响电路的精准度和芯片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为一直是未知的“黑匣子”，工业界只能通过反复试错来优化工艺，这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。
为解决这一难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。他们最终合成了一张分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的问题。
彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，有助于推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。
