日本芯片制造商Rapidus宣布启动2nm晶圆的测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。在Rapidus位于日本的IIM-1厂区，已经展开了对采用2nm全环绕栅极架构（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作。
公司确认早期测试晶圆已达到预期的电气特性，这意味着其晶圆厂工具运作正常，制程技术开发进展顺利。原型制作是半导体生产中的一个重要里程碑，旨在验证使用新技术制造的早期测试电路是否可靠、高效并达到性能目标。目前，Rapidus正在测量其测试电路的电气特性，包括临界电压、驱动电流、漏电流、次临界斜率、开关速度、功耗和电容等参数。
自2023年9月动工以来，Rapidus的IIM-1厂区建设进展顺利，无尘室于2024年完成，截至2025年6月已连接超过200套设备，其中包括先进的DUV和EUV光刻工具。此前，有观点认为日本本国的半导体产业在中国台湾地区和韩国半导体产业多年竞争后，老旧产线基本退出，仅剩少数设备仍在运行。在台积电大规模投资日本工厂之前，日本连量产40nm制程芯片都难以实现，在制程领域甚至落后于中国大陆。
